基本情報技術者試験 ap-2023r05h-a 午前 問11: フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

問題本文

フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

選択肢

• ア.各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
• イ.記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
• ウ.不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
• エ.ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。

正解

ア. 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。

解説

フラッシュメモリは消去・書込みを繰り返すとセルが劣化し、書込み回数に寿命があります。同じブロックばかり使うとそこだけ早く寿命を迎えてしまうため、書込み位置を分散させて各ブロックの書込み回数をなるべく均等にする制御がウェアレベリングです。これによりメモリ全体を長持ちさせられるので、“各ブロックの書込み回数が均等になるよう物理的な書込み位置を選択する” とする ア が正解です。

選択肢ごとの解説

• ア.書込みを特定ブロックに集中させず均等に分散させて寿命を延ばす技術がウェアレベリングであり、正しい。
• イ.1 つのセルに蓄える電子量で複数ビットを記録するのは MLC／TLC などの多値記録の説明で、ウェアレベリングとは別の技術なので誤り。
• ウ.不良ブロックを予備（交換領域）のブロックで置き換えるのは代替ブロック処理（不良ブロック管理）であり、書込み回数の平準化を行うウェアレベリングとは異なるため誤り。
• エ.ブロック単位で消去してから書き込むのはフラッシュメモリ一般の書込み手順の説明であって、ウェアレベリング固有の説明ではないため誤り。