基本情報技術者試験 過去問解説
メモリとは？基本情報技術者試験 平成26年度 春期 午前 問21を解説
基本情報技術者試験 平成26年度 春期 午前 問21は、メモリに関する理解を問う問題です。検索から入っても、問題文、選択肢、正解、解説、各選択肢がなぜ違うかをこのページだけで確認できます。
問題文
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
この問題の出題ポイント
- メモリの定義だけでなく、問題文中の条件がどの選択肢に当てはまるかを確認する。
- 関連タグ: メモリ、CPU。
選択肢
- ア高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
- イ紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
- エブロック単位で電気的に内容の消去ができる。正解
正解
エ: ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
解説
フラッシュメモリは EEPROM の一種で、ブロック(セクタ)単位で電気的にまとめて消去できる不揮発性メモリです。SSDやUSBメモリなどに広く使われています。
なぜ他の選択肢が違うのか
ア
書換えはむしろ低速で、用途もキャッシュではなく外部記憶などです。CPUキャッシュはSRAMです。
イ
紫外線消去は EPROM の特徴で、フラッシュは電気的に消去します。
ウ
周期的再書込み(リフレッシュ)が必要なのは DRAM で、フラッシュは不揮発性のため不要です。
エ（正解）
ブロック単位の一括電気消去という記述はフラッシュメモリの動作そのものです。
解き方の整理
メモリの問題では、選択肢のキーワードだけで判断せず、問題文が示す条件と正解選択肢の説明が一致しているかを見ます。誤答選択肢は、似た用語を混ぜる、主体を入れ替える、目的や範囲を広げすぎる、という形で作られることが多いため、選択肢別解説まで確認しておくと復習効率が上がります。
関連問題
前後の問題
平成26年度 春期 午前 の関連する問題
復習を続ける
間違えた問題、苦手タグ、模試履歴を保存して復習する導線を用意しています。広告なしPro、弱点分析、復習リマインダーは段階的に提供予定です。