基本情報技術者試験 基本情報技術者試験 平成26年度 春期 午前 午前 問21: フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

問題本文

フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

選択肢

• ア.高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
• イ.紫外線で全内容の消去ができる。
• ウ.周期的にデータの再書込みが必要である。
• エ.ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

正解

エ. ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

解説

フラッシュメモリは EEPROM の一種で、ブロック(セクタ)単位で電気的にまとめて消去できる不揮発性メモリです。SSDやUSBメモリなどに広く使われています。

選択肢ごとの解説

• ア.書換えはむしろ低速で、用途もキャッシュではなく外部記憶などです。CPUキャッシュはSRAMです。
• イ.紫外線消去は EPROM の特徴で、フラッシュは電気的に消去します。
• ウ.周期的再書込み(リフレッシュ)が必要なのは DRAM で、フラッシュは不揮発性のため不要です。
• エ.ブロック単位の一括電気消去という記述はフラッシュメモリの動作そのものです。