基本情報技術者試験 基本情報技術者試験 平成26年度 春期 午前 午前 問21: フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

正解

エ. ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

正答率 39.3%（1,724人中 677人が正解）

問題の解説

フラッシュメモリは EEPROM の一種で、ブロック(セクタ)単位で電気的にまとめて消去できる不揮発性メモリです。SSDやUSBメモリなどに広く使われています。

選択肢ごとの解説

• ア書換えはむしろ低速で、用途もキャッシュではなく外部記憶などです。CPUキャッシュはSRAMです。
• イ紫外線消去は EPROM の特徴で、フラッシュは電気的に消去します。
• ウ周期的再書込み(リフレッシュ)が必要なのは DRAM で、フラッシュは不揮発性のため不要です。
• エブロック単位の一括電気消去という記述はフラッシュメモリの動作そのものです。