基本情報技術者試験 過去問解説
メモリとは？基本情報技術者試験 平成31年度 春期 午前 問21を解説
基本情報技術者試験 平成31年度 春期 午前 問21は、メモリに関する理解を問う問題です。検索から入っても、問題文、選択肢、正解、解説、各選択肢がなぜ違うかをこのページだけで確認できます。
問題文
メモリセルにフリップフロップ回路を利用したものはどれか。
この問題の出題ポイント
- メモリの定義だけでなく、問題文中の条件がどの選択肢に当てはまるかを確認する。
- 関連タグ: メモリ、論理回路。
選択肢
- アDRAM
- イEEPROM
- ウSDRAM
- エSRAM正解
正解
エ: SRAM
解説
SRAM (Static RAM) はメモリセルにフリップフロップ回路を使用し、リフレッシュ不要で高速。エが正解。
なぜ他の選択肢が違うのか
ア
DRAM はコンデンサに電荷を貯める方式でリフレッシュが必要。
イ
EEPROM は電気的に書き換え可能な ROM で、構造はフローティングゲート。
ウ
SDRAM はクロック同期型 DRAM で、メモリセルは DRAM 同様コンデンサ式。
エ（正解）
SRAM はフリップフロップ構成。正解。
解き方の整理
メモリの問題では、選択肢のキーワードだけで判断せず、問題文が示す条件と正解選択肢の説明が一致しているかを見ます。誤答選択肢は、似た用語を混ぜる、主体を入れ替える、目的や範囲を広げすぎる、という形で作られることが多いため、選択肢別解説まで確認しておくと復習効率が上がります。
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