応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 令和5年度春期 午前 問11: フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

正解

ア. 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。

正答率 51.2%（346人中 177人が正解）

問題の解説

フラッシュメモリは、ブロックごとの書換え回数に上限があるため、特定のブロックへ書込みが集中すると、そこから先に寿命を迎える。ウェアレベリングは、書込み先を物理的に分散させて、各ブロックの書込み回数をなるべく均等にし、全体の寿命を延ばす技術である。

選択肢ごとの解説

• ア正しい。論理アドレスと物理的な位置の対応を変えながら書込み先を選び、特定のブロックだけが早く劣化するのを防ぐ。
• イセルに蓄える電子の量で複数のビットを表す方式は、多値記録（MLC や TLC など）で、ウェアレベリングとは別の技術である。
• ウ不良ブロックを交換領域の正常なブロックと置き換える処理は、代替処理（不良ブロック管理）で、書込み回数を均等にするものではない。
• エブロック単位でデータを消去してから書き込むのは、フラッシュメモリの基本的な書換えの仕組みで、ウェアレベリングの説明ではない。