応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成30年度秋期 午前 問10: 相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。

正解

イ. 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

正答率 71.1%（862人中 613人が正解）

問題の解説

相変化メモリ（PRAM/PCM）は、材料が「結晶状態」と「非結晶（アモルファス）状態」とで電気抵抗が変化する性質を利用して0/1を記憶する不揮発性メモリである。「相変化」という名称どおり物質の状態（相）の変化で記憶するため、これを述べたイが正解。

選択肢ごとの解説

• ア一度だけ書込み可能な不揮発性メモリは、PROMやライトワンス型メモリの説明。相変化メモリは書換え可能であり誤り。
• イ結晶状態と非結晶状態の抵抗差で記憶する不揮発性メモリ、という相変化メモリの定義そのもの。電源を切っても記憶が保持される。正解。
• ウフリップフロップ回路で構成される揮発性メモリはSRAM（キャッシュメモリに使用）の説明。相変化メモリとは異なり誤り。
• エリフレッシュ動作が必要な揮発性メモリはDRAM（主記憶に使用）の説明。相変化メモリは不揮発性でリフレッシュ不要なので誤り。