応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成30年度秋期 午前 問10: 相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。

正解

イ. 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

正答率 71.0%（863人中 613人が正解）

問題の解説

相変化メモリは、加熱の仕方で材料を結晶状態と非結晶状態に切り替え、状態によって電気抵抗が異なることを利用して 0 と 1 を記憶する。電源を切っても状態が保たれるため、不揮発性メモリに分類される。

選択肢ごとの解説

• ア一度だけ書込みができる不揮発性メモリは、OTP ROM（ワンタイム PROM）などである。相変化メモリは状態を変えて書換えができる。
• イ正しい。結晶状態と非結晶状態で電気抵抗が違うことを利用して情報を記憶し、電源を切っても内容が残る不揮発性メモリである。
• ウフリップフロップ回路で構成される揮発性メモリは、SRAM である。相変化メモリは不揮発性で、構成も異なる。
• エリフレッシュ動作が必要な揮発性メモリは、DRAM である。相変化メモリは不揮発性で、記憶を保つためのリフレッシュが要らない。