応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 令和5年度秋期 午前 問21: MOS トランジスタの説明として，適切なものはどれか。

問題本文

MOS トランジスタの説明として，適切なものはどれか。

選択肢

• ア.pn 接合における電子と正孔の再結合によって光を放出するという性質を利用した半導体素子
• イ.pn 接合部に光が当たると電流が発生するという性質を利用した半導体素子
• ウ.金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子
• エ.逆方向電圧をある電圧以上印加すると，電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれるという特性をもつ半導体素子

正解

ウ. 金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子

解説

半導体素子の構造・特性から名称を選ぶ問題です。MOSはMetal-Oxide-Semiconductor(金属・酸化物・半導体)の略で，その名のとおり金属(ゲート電極)と半導体の間に酸化物の絶縁体を挟んだ構造を特徴とするトランジスタです。よって「金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつ」と述べたウが正解です。

選択肢ごとの解説

• ア.電子と正孔の再結合で光を放出するのはLED(発光ダイオード)の説明であり，MOSトランジスタではありません。
• イ.光が当たると電流が発生する性質を利用するのはフォトダイオード(受光素子)の説明であり，MOSトランジスタではありません。
• ウ.正しい。金属・酸化物絶縁体・半導体の積層構造をもつのがMOSトランジスタの特徴で，名称(Metal-Oxide-Semiconductor)もこの構造に由来します。
• エ.逆方向電圧で電圧をほぼ一定に保つ特性をもつのはツェナーダイオード(定電圧ダイオード)の説明であり，MOSトランジスタではありません。