応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 令和5年度秋期 午前 問21: MOS トランジスタの説明として，適切なものはどれか。

正解

ウ. 金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子

正答率 40.7%（1,126人中 458人が正解）

問題の解説

MOS（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタは、金属（ゲート電極）と半導体との間に、酸化膜などの絶縁体を挟んだ構造をもち、ゲートに加える電圧でソースとドレイン間の電流を制御する素子である。CPU やメモリなどの集積回路の基本素子として使われる。

選択肢ごとの解説

• アpn 接合での電子と正孔の再結合による発光を利用する、発光ダイオード（LED）の説明である。
• イpn 接合部に光が当たると電流が発生する性質を利用する、フォトダイオードや太陽電池の説明である。
• ウ正しい。金属・酸化物・半導体の三層構造から名前が付いており、ゲートの電圧で電流を制御する。
• エ逆方向電圧が一定以上になると、電圧がほぼ一定のまま電流が増える性質を利用する、ツェナーダイオード（定電圧ダイオード）の説明である。