応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成28年度秋期 午前 問21: フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

正解

エ. ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

正答率 64.2%（1,316人中 845人が正解）

問題の解説

フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性メモリで、データは電気的に書き込み、消去はブロック単位でまとめて行う。USB メモリや SSD、SD カードなどに使われる。高速な書換えが必要なキャッシュメモリには向かず、紫外線で消すのは EPROM、再書込みが必要なのは DRAM である。

選択肢ごとの解説

• ア高速に書き換えられ、CPU のキャッシュメモリに使われるのは SRAM である。フラッシュメモリは書換えが遅く、書換え回数にも限りがあるので、キャッシュには向かない。
• イ紫外線で全内容を消去できるのは、EPROM (紫外線消去型の ROM) である。フラッシュメモリは電気的に消去する。
• ウ周期的なデータの再書込み (リフレッシュ) が必要なのは DRAM である。フラッシュメモリは不揮発性で、電源を切っても内容を保持する。
• エ正しい。フラッシュメモリは、ブロック単位で電気的に内容を消去できる不揮発性メモリである。