応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成28年度秋期 午前 問21: フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

正解

エ. ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

正答率 64.3%（1,315人中 845人が正解）

問題の解説

各種メモリの特性を識別する問題。フラッシュメモリはEEPROMの一種で、電源を切ってもデータが保持される不揮発性メモリである。書き込み・消去は1バイト単位ではなく、複数バイトをまとめたブロック単位で電気的に行う点が特徴で、これにより他のEEPROMより高速な書換えができる。USBメモリやSSDに使われる。「ブロック単位で電気的に消去できる」エが正しい。

選択肢ごとの解説

• アCPUのキャッシュメモリに用いられるのは高速なSRAMである。フラッシュメモリは書換え速度がSRAMより遅く寿命もあるためキャッシュには使われず、誤り。
• イ紫外線で全内容を消去するのはEPROMの特徴である。フラッシュメモリは電気的に消去するため誤り。
• ウ周期的な再書込み(リフレッシュ)が必要なのはDRAM(揮発性)の特徴である。フラッシュメモリは不揮発性でリフレッシュ不要なため誤り。
• エフラッシュメモリはブロック単位で電気的に内容を消去・書込みでき、これが正しい特徴である。