応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成30年度春期 午前 問10: NAND 型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

正解

エ. ページ単位で書込み及び読出しを行う。

正答率 81.2%（1,339人中 1,087人が正解）

問題の解説

NAND 型フラッシュメモリは、読出しと書込みをページ（数 k バイト程度）単位で行い、消去はより大きなブロック単位で行う。バイト単位で読み出せるのは NOR 型である。NAND 型は大容量で安価なため、SSD や USB メモリ、SD カードなどに使われる。

選択肢ごとの解説

• ア書込みがバイト単位という点が誤りである。NAND 型の書込みはページ単位で行う。
• イバイト単位で読み書きするのは、ランダムアクセスに向く NOR 型などの特徴である。NAND 型は読み書きともページ単位である。
• ウ書込みがページ単位という点は合っているが、読出しもページ単位で、バイト単位ではない。
• エ正しい。NAND 型は読出しも書込みもページ単位で行い、消去はブロック単位で行う。