応用情報技術者試験 応用情報技術者試験 平成30年度春期 午前 問10: NAND 型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

正解

エ. ページ単位で書込み及び読出しを行う。

正答率 81.2%（1,335人中 1,084人が正解）

問題の解説

フラッシュメモリは電気的に消去・書込みができる不揮発性メモリ(EEPROMの一種)で、バイト単位ではなく複数バイトをまとめた単位でアクセスする。とりわけNAND型フラッシュメモリは、SSDなどの大容量記憶に使われ、読出し・書込みをともに「ページ」単位(消去は複数ページからなるブロック単位)で行う。したがって「ページ単位で書込み及び読出しを行う」エが正解。バイト単位で扱うとする選択肢は、ランダムアクセス可能なメモリと混同した誤り。